集成电路的封装技术之三：

　　21、H-

　　（with heat sink）

　　表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。

　　22、pin grid array

　　（surface mount type）

　　表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多（250～528），是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

　　23、JLCC

　　（J-leaded chip carrier）

　　J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称（见CLCC 和QFJ）。部分半 导体厂家采用的名称。

　　24、LCC

　　（Leadless chip carrier）

　　无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C（见QFN）。

　　25、LGA

　　（land grid array）

　　触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点（1.27mm 中心距）和447 触点（2.54mm 中心距）的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。

　　26、LOC

　　（lead on chip）

　　芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

　　27、LQFP

　　（low profile quad flat package）

　　薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。

　　28、L－QUAD

　　陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚（0.5mm 中心距）和160 引脚 （0.65mm 中心距）的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。

　　29、MCM

　　（multi-chip module）

　　多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

　　MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

　　30、MFP

　　（mini flat package）

　　小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称（见SOP 和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。