异质结光晶体管噪声决定于工作电流，小电流时噪声较低。但小电流工作时发射极时间常数增大，且空间电荷区复合流占主导成分，也造成增益降低（β正比于，Ie,n≈2）。为减小空间电荷区复合流,可用分子束外延生长法在靠发射结一端生长约300埃的宽带基区,并构成基区空间电荷区一部分，这就是“双基区”结构。异质结光晶体管用于光探测器,其性能不劣于PIN光电二极管和场效应复合系统，另外也可用于光放大。

　　GaAs MESFET可用作极高速光探测器(GaAs op FET),其响应时间为50皮秒或更短，增益可大于10（与工作条件有关）。它的缺点是光敏面积小。GaAs op FET及其相关的N沟光电器件的光增益机构有：①光异体机构，增益等于电子速度与空穴速度之比；②转移电子效应机构，其增益来自光生载流子在负迁移率区的空间电荷放大作用。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。